IPD90R1K2C3ATMA1、SPD03N50C3、IPD90R1K2C3对比区别

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型号 IPD90R1K2C3ATMA1 SPD03N50C3 IPD90R1K2C3

描述 INFINEON  IPD90R1K2C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPD90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 83 W - 83 W

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 1.25 Ω 1.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 38 W 83 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 900 V 560 V 900 V

漏源击穿电压 - - 900 V

连续漏极电流(Ids) 5.1A 3.20 A 5.10 A

上升时间 20 ns 5 ns 20 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

输入电容(Ciss) 710pF @100V(Vds) 350pF @25V(Vds) 710pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 83 W 38 W 83 W

下降时间 40 ns 15 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 38W (Tc) 83W (Tc)

额定电压(DC) - 560 V -

额定电流 - 3.20 A -

长度 6.5 mm 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.41 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99