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IPD90R1K2C3

IPD90R1K2C3

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 900V 5.1A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252


贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3


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Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-252 T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; 83W; PG-TO252-3


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Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252


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MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252


IPD90R1K2C3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 20 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 710pF @100VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD90R1K2C3引脚图与封装图
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在线购买IPD90R1K2C3
型号 制造商 描述 购买
IPD90R1K2C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPD90R1K2C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD90R1K2C3

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-Channel 900V 5.1A

当前型号

INFINEON  IPD90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPD90R1K2C3ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 900V 5.1A

类似代替

INFINEON  IPD90R1K2C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

IPD90R1K2C3和IPD90R1K2C3ATMA1的区别

型号: IPD78CN10NGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 13A

类似代替

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NGATMA1, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

IPD90R1K2C3和IPD78CN10NGATMA1的区别