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SPD03N50C3

SPD03N50C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 560V 3.2A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK


力源芯城:
500V,3.2A,N沟道功率MOSFET


SPD03N50C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 3.20 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 38 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPD03N50C3引脚图与封装图
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在线购买SPD03N50C3
型号 制造商 描述 购买
SPD03N50C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPD03N50C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPD03N50C3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO252-3 N-Channel 500V 3.2A

当前型号

INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IPD90R1K2C3ATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 900V 5.1A

类似代替

INFINEON  IPD90R1K2C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V

SPD03N50C3和IPD90R1K2C3ATMA1的区别

型号： FDD5N50NZTM

品牌： 飞兆/仙童

封装： DPAK N-CH 500V 4A

功能相似

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

SPD03N50C3和FDD5N50NZTM的区别

型号： SPD03N50C3ATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 500V 3.2A

功能相似

INFINEON  SPD03N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

SPD03N50C3和SPD03N50C3ATMA1的区别