SIHF22N60E-E3、SIHF22N60E-GE3、SPA20N60C3XKSA1对比区别

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型号 SIHF22N60E-E3 SIHF22N60E-GE3 SPA20N60C3XKSA1

描述 VISHAY  SIHF22N60E-E3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VVISHAY  SIHF22N60E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  SPA20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管中高压MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 0.16 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 227 W 35 W 34.5 W

阈值电压 2 V 2 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V

输入电容(Ciss) 1920pF @100V(Vds) - 2400pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35 W - 34.5W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

上升时间 - 27 ns 5 ns

下降时间 - 35 ns 4.5 ns

连续漏极电流(Ids) - - 20.7A

额定功率(Max) - - 34.5 W

长度 10.63 mm - 10.65 mm

宽度 4.83 mm - 4.85 mm

高度 16.12 mm - 16.15 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 - Tube Tube

产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs