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ZTX849、ZTX849STZ、ZTX849STOA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX849 ZTX849STZ ZTX849STOA

描述 DIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFETrans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line BoxTRANS NPN 30V 5A E-LINE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.2 W 1200 mW 1.2 W

增益频宽积 - - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1V 100 @1A, 1V 100 @1A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W 1.2 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

直流电流增益(hFE) 200 - -

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW -

长度 - - 4.77 mm

宽度 - - 2.41 mm

高度 - - 4.01 mm

封装 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -