ZTX849
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZTX849中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V
额定功率Max 1.2 W
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
外形尺寸
封装 E-Line-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ZTX849引脚图与封装图
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在线购买ZTX849
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZTX849 | Diodes 美台 | DIODES INC. ZTX849 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号ZTX849
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX849 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92 NPN 30V 5A 1200mW | 当前型号 | DIODES INC. ZTX849 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： ZTX849STZ 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 30V 5A 1200mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box | ZTX849和ZTX849STZ的区别 |
| 型号： FZT849TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 30V 7A 3W | 功能相似 | 三极管 | ZTX849和FZT849TA的区别 |
| 型号： ZTX851 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 60V 5A 1200mW | 功能相似 | ZTX851 系列 NPN 5 A 60 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3 | ZTX849和ZTX851的区别 |