ZTX849STOA
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
ZTX849STOA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.2 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V
最大电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 E-Line-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 E-Line-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
ZTX849STOA引脚图与封装图
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在线购买ZTX849STOA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZTX849STOA | Vishay Semiconductor 威世 | TRANS NPN 30V 5A E-LINE | 搜索库存 |
替代型号ZTX849STOA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZTX849STOA 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-92 NPN 30V 5A | 当前型号 | TRANS NPN 30V 5A E-LINE | 当前型号 |
| 型号： ZTX849 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 30V 5A 1200mW | 功能相似 | DIODES INC. ZTX849 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE | ZTX849STOA和ZTX849的区别 |
| 型号： ZTX849STZ 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 30V 5A 1200mW | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box | ZTX849STOA和ZTX849STZ的区别 |