锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ZTX849STZ
Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 5 A 100MHz 1.2 W 通孔 E-Line(TO-92 兼容)


得捷:
TRANS NPN 30V 5A E-LINE


艾睿:
Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This NPN ZTX849STZ general purpose bipolar junction transistor, developed by Diodes Zetex, is your solution. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


富昌:
ZTX849 系列 NPN 5 A 30 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 5A 3-Pin E-Line Box


ZTX849STZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

耗散功率 1200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZTX849STZ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ZTX849STZ
型号 制造商 描述 购买
ZTX849STZ Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box 搜索库存
替代型号ZTX849STZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZTX849STZ

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92 NPN 30V 5A 1200mW

当前型号

Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box

当前型号

型号: ZTX849

品牌: 美台

封装: TO-92 NPN 30V 5A 1200mW

类似代替

DIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE

ZTX849STZ和ZTX849的区别

型号: FZT849TA

品牌: 美台

封装: SOT-223 NPN 30V 7A 3W

功能相似

三极管

ZTX849STZ和FZT849TA的区别

型号: FZT849

品牌: 美台

封装: SOT-223

功能相似

单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE

ZTX849STZ和FZT849的区别