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BC817-40LT3G、MMBT4124LT1、BC817-40LT3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC817-40LT3G MMBT4124LT1 BC817-40LT3

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 30V NPN通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 25 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.2A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 120 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 200 mA -

耗散功率 225 mW 225 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

频率 100 MHz - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - -