MMBT4124LT1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
主动器件
MMBT4124LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBT4124LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBT4124LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT4124LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 30V NPN | 搜索库存 |
替代型号MMBT4124LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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