锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC817-40LT3

BC817-40LT3

数据手册.pdf

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 500mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


BC817-40LT3中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BC817-40LT3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC817-40LT3
型号 制造商 描述 购买
BC817-40LT3 ON Semiconductor 安森美 通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon 搜索库存
替代型号BC817-40LT3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC817-40LT3

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN

当前型号

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

当前型号

型号: BC817-40LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管

BC817-40LT3和BC817-40LT1G的区别

型号: BC817-40LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

BC817-40LT3和BC817-40LT3G的区别

型号: SBC817-40LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 NPN 300mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  SBC817-40LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

BC817-40LT3和SBC817-40LT1G的区别