IPB027N10N3G、STH310N10F7-6、STH310N10F7-2对比区别

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型号 IPB027N10N3G STH310N10F7-6 STH310N10F7-2

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 7 3

封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-3

针脚数 - 7 3

漏源极电阻 - 0.0019 Ω 0.0019 Ω

耗散功率 - 315 W 315 W

阈值电压 2 V 3.5 V 3.5 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 - 108 ns 108 ns

输入电容(Ciss) 11100pF @50V(Vds) 12800pF @25V(Vds) 12800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 315 W

下降时间 - 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 W 315W (Tc) 315W (Tc)

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 180A -

长度 10.31 mm 15.25 mm 15.8 mm

宽度 9.45 mm 10.4 mm 10.4 mm

高度 4.57 mm 4.8 mm 4.8 mm

封装 TO-263 TO-263-7 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -