IPB027N10N3G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB027N10N3G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 11100pF @50VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPB027N10N3G引脚图与封装图 
IPB027N10N3G引脚图
IPB027N10N3G封装焊盘图
在线购买IPB027N10N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB027N10N3G | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPB027N10N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB027N10N3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 N-Channel | 当前型号 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
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| 型号： STH310N10F7-2 品牌： 意法半导体 封装： H2PAK | 功能相似 | N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IPB027N10N3G和STH310N10F7-2的区别 |
| 型号： STP310N10F7 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 180A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IPB027N10N3G和STP310N10F7的区别 |