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STH310N10F7-6

STH310N10F7-6

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6


欧时:
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 180 A, 0.0019 ohm, H2PAK-6, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 6-Pin H2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


Newark:
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, H2PAK-6-7


儒卓力:
**N-CH 100V 180A 2.3mOhm H2PAK-6 **


力源芯城:
100V,2.1mΩ,180A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSF N CH 100V 180A H2PAK-6


STH310N10F7-6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 0.0019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 315 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 108 ns

输入电容Ciss 12800pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 315W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 15.25 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STH310N10F7-6引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STH310N10F7-6
型号 制造商 描述 购买
STH310N10F7-6 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STH310N10F7-6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STH310N10F7-6

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-263-7 N-Channel 100V 180A

当前型号

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STH310N10F7-2

品牌： 意法半导体

封装： H2PAK

功能相似

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STH310N10F7-6和STH310N10F7-2的区别

型号： STP310N10F7

品牌： 意法半导体

封装： TO-220-3 N-Channel 100V 180A

功能相似

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STH310N10F7-6和STP310N10F7的区别

型号： IPB027N10N3G

品牌： 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel

功能相似

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

STH310N10F7-6和IPB027N10N3G的区别