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STH310N10F7-2

STH310N10F7-2

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2


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STH310N10F7-2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0019 Ω

耗散功率 315 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 108 ns

输入电容Ciss 12800pF @25VVds

额定功率Max 315 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 315W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

STH310N10F7-2引脚图与封装图
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在线购买STH310N10F7-2
型号 制造商 描述 购买
STH310N10F7-2 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STH310N10F7-2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STH310N10F7-2

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： H2PAK

当前型号

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STH310N10F7-6

品牌： 意法半导体

封装： TO-263-7 N-Channel 100V 180A

功能相似

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STH310N10F7-2和STH310N10F7-6的区别

型号： STP310N10F7

品牌： 意法半导体

封装： TO-220-3 N-Channel 100V 180A

功能相似

N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STH310N10F7-2和STP310N10F7的区别

型号： IPB027N10N3G

品牌： 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel

功能相似

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STH310N10F7-2和IPB027N10N3G的区别