AH8652,AH8100,非隔离5V,供电替代阻容降压方案
AH8652,AH8100,非隔离5V,供电替代阻容降压方案,外围元件少,电路简单.超低工作电流,支持小VDD电解电容;是一颗超小封装的SOT23-3
发布时间:2023-11-01
AH8652,AH8100,非隔离5V,供电替代阻容降压方案,外围元件少,电路简单.超低工作电流,支持小VDD电解电容;是一颗超小封装的SOT23-3
发布时间:2023-11-01
一类陶瓷介质:NP0,C0G容量多在1000pF以下,温度特性平稳,该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF);NP0电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一;在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30...
发布时间:2022-09-18
这些电容器提供长期可靠性、更低的 ESR、2.2 – 470 微法拉之间的多种封装选项以及一些特殊功能,例如代替液体电解质的导电聚合物。这些电容器具有非常好的抗电压和温度偏置效应以及良好的老化特性。下面简单说说...
发布时间:2022-09-18
我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。 这类参数描述了电容采用的电介质材料...
发布时间:2022-09-18
1、作用 ...(可分:金属化薄膜电容、金属箔薄膜电容) 电解电容(Electrolytic Capacitor) 电解电容是用金属作为阳极(Anode),并在表面形成一层金属氧化膜作为介质;然后湿式或固态的电解质...
发布时间:2022-09-01
多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成,失效形式为金属电极和陶介之间层错,电气表现为受外力(如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下)和温度冲击(如烙铁焊接)时电容时好时坏。 多层片状陶介电...
发布时间:2022-08-31
由于电容在电路中作用有多种,有时也很特殊,在有的电路中有时会对容量要求非常严格,所以能不能用50uf/470v电容替代10 uf/450v的电容要根据具体电路来确定。况且你这个电容是高压电容,肯定是用在电压比较高的场合...
发布时间:2022-08-31
在模拟和数字PCB设计中,旁路或去耦电容(0.1uF)应尽量靠近器件 放置。供电电源去耦电容(10uF)应放置在电路板的电源线入口处。所有情 况下,这些电容的引脚都应较短。 在模拟布线设计中,旁路电容通常用于旁路电源...
发布时间:2022-08-31
隔直电容为的是两个电路之间的隔离!但它同时又承担着传输信号的功能,传输信号电容越大信号损失越小,而且容量大有利于低频信号的传输。在电路中用于隔离直流电,而只允许交流电通过的电容,在此电路中叫“隔直电容...
发布时间:2022-08-30