CSD88537ND
TEXAS INSTRUMENTS CSD88537ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V
这款双路小外形尺寸 SO-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 雪崩额定值
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- 无铅
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
## 应用范围
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- 用于电机控制的半桥
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- 同步降压转换器
