CSD85302L

20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 LGA 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应 MOSFET 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

.

共漏极配置

.

低导通电阻

.

1.35mm × 1.35mm 小外形封装

.

无铅且无卤素

.

符合 RoHS 标准

.

人体放电模式 HBM 静电放电 ESD 保护 > 2.5kV

## 应用

.

USB Type-C/PD

.

电池管理

.

电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.