CSD23382F4
-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0
此 66mΩ,12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。
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- 低导通电阻
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- 超低 Qg 和 Qgd
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- 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
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- 1.0mm × 0.6mm
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- 低高度
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- 最大高度 0.35mm
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- 集成型静电放电 ESD 保护二极管
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- 额定值 > 2kV 人体模型 HBM
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- 额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM
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- 无铅端子镀层
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- 无卤素
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- 符合 RoHS 环保标准
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了优化
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- 针对通用开关应用进行了优化
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- 电池类应用
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- 手持式和移动类应用