极性 P-CH
耗散功率 0.5 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 235pF @6VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD23382F4 | TI 德州仪器 | -12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD23382F4 品牌： TI 德州仪器 封装： PICOSTAR P-CH 12V 3.5A | 当前型号 | -12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0 | 当前型号 |
| 型号： CSD23382F4T 品牌： 德州仪器 封装： Pictostar-3 P-Channel 12V 3.5A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD23382F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV | CSD23382F4和CSD23382F4T的区别 |
| 型号： CSD23381F4 品牌： 德州仪器 封装： PICOSTAR P-CH 12V 2.3A | 类似代替 | P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments | CSD23382F4和CSD23381F4的区别 |
| 型号： CSD23280F3 品牌： 德州仪器 封装： PICOSTAR P-CH 12V 1.8A | 类似代替 | CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET | CSD23382F4和CSD23280F3的区别 |
