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BSP296NH6327XTSA1

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™ 小信号 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4


立创商城:
N沟道 100V 1.2A


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223


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BSP296NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌
BSP295E6327T Infineon 英飞凌
BSP220,115 NXP 恩智浦
BSP225,115 NXP 恩智浦
BSP230,135 NXP 恩智浦
BSP295 Infineon 英飞凌
BSP250,115 NXP 恩智浦
BSP298 Infineon 英飞凌
BSP296 Infineon 英飞凌
BSP299 Infineon 英飞凌
BSP299 L6327 Infineon 英飞凌