锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™ 小信号 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4


立创商城:
N沟道 100V 1.2A


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 4-Pin SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223


BSP296NH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

针脚数 4

漏源极电阻 0.329 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.2A

上升时间 3.8 ns

输入电容Ciss 152.7pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 5.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP296NH6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP296NH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP296NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号BSP296NH6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP296NH6327XTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 100V 1.2A

当前型号

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: BSP296L6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-CH 100V 1.1A

类似代替

SOT-223 N-CH 100V 1.1A

BSP296NH6327XTSA1和BSP296L6327HTSA1的区别