FDV301N

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV301N  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 220mA/0.22A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.1Ω/Ohm @400mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGSth < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH<1.5。 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 更换多个NPN数字与一DMOS FET