FDV301N
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDV301N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 220 mA
额定功率 350 mW
针脚数 3
漏源极电阻 3.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 850 mV
输入电容 9.50 pF
栅电荷 700 pC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 8.00 V
连续漏极电流Ids 220 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 9.5pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDV301N引脚图与封装图 
FDV301N引脚图
FDV301N封装焊盘图
在线购买FDV301N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDV301N | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV | 搜索库存 |
替代型号FDV301N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDV301N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 25V 220mA 5ohms 9.5pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV | 当前型号 |
| 型号： FDV301N_D87Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 25V 220mA 5ohms 9.5pF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R | FDV301N和FDV301N_D87Z的区别 |
| 型号： FDV301N_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N-Channel,Digital FET | FDV301N和FDV301N_NL的区别 |