BSP122

BSP122 N沟道MOSFET 200V 550mA/0.55A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP122 甚高频应用

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 200V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 550mA/0.55A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.0025Ω/Ohm @750mA,10v 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Direct interface to C-MOS, TTL,etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. 描述与应用| N沟道增强模式 垂直D-MOS晶体管 直接接口的C-MOS，TTL，等等 •高速开关 •无二次击穿