BSP171P

INFINEON  BSP171P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.21Ω @-1.9A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.8W Description & Applications| Features • P-Channel • Enhancement mode • Logic level • Avalanche rated • dv /dt rated 描述与应用| •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •额定雪崩 •dv / dt的额定

欧时:
### Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

e络盟:
INFINEON  BSP171P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
SIPMOS Power Transistor P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated