BGA6H1BN6E6327XTSA1
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
RF Amplifier IC
得捷:
IC RF AMP TSNP-6
贸泽:
射频放大器 RF SILICON MMIC
艾睿:
BGA6H1BN6E6327XTSA1
富昌:
RF SILICON MMIC
BGA6H1BN6E6327XTSA1 PDF数据文档
| 图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
|---|---|---|---|
 | BGA6H1BN6E6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA6489,135 | NXP 恩智浦 | |
 | BGA615L7E6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA628L7E6327XTMA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA6289,135 | NXP 恩智浦 | |
 | BGA6130,118 | NXP 恩智浦 | |
 | BGA612E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA616 BOARD | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA614H6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA612H6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | BGA622L7E6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 |