BGA6H1BN6E6327XTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
BGA6H1BN6E6327XTSA1中文资料参数规格
封装参数
封装 TSNP-6
外形尺寸
封装 TSNP-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BGA6H1BN6E6327XTSA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BGA6H1BN6E6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |