射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M
RF Mosfet
得捷:
IC AMP RF LDMOS
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M
艾睿:
THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET 380 W, 28 V, 1805 -1880 MHZ
安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 7-Pin H-37275G-6/2 T/R
富昌:
RFP-LD10M
| 图片 | 型号 | 厂商 | 下载 |
|---|---|---|---|
 | PXFC193808SVV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | PXFC192207NFV1R500XUMA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | PXFC211507SCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | PXFC191507FCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | PXFC192207FHV3R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | |
| PXFC191507FCV1XWSA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | PXFC212551SCV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 | |
 | PXFC192207SHV1R250XTMA1 | Infineon 英飞凌 |
