PXFC193808SVV1R250XTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M

RF Mosfet

得捷:
IC AMP RF LDMOS

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RFP-LD10M

艾睿:
THERMALLY-ENHANCED HIGH POWER RF LDMOS FET 380 W, 28 V, 1805 -1880 MHZ

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 7-Pin H-37275G-6/2 T/R

富昌:
RFP-LD10M

PXFC193808SVV1R250XTMA1中文资料参数规格

技术参数

输出功率 380 W

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

封装 H-37275-6

外形尺寸

封装 H-37275-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PXFC193808SVV1R250XTMA1引脚图与封装图

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