CSD25303W1015

P 通道 NexFET 功率 MOSFET

该器件设计用于在尽可能小的外形之中提供最低的导通电阻和栅极电荷、并在非常扁平的空间之内实现卓越的热特性。

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超低 Qg 和 Qgd

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小占板面积

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扁平（仅高 0.62mm）

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无铅

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符合 RoHS 标准

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无卤素

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CSP 1 × 1.5 mm 晶圆级封装

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应用

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电池管理

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负载开关

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电池保护