IRFH5301TRPBF

INFINEON  IRFH5301TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V 新

N 通道功率 MOSFET，30V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5301TRPBF, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装

立创商城:
N沟道 30V 35A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin QFN EP T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

Newark:
# INFINEON  IRFH5301TRPBF  MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PQFN-8

力源芯城:
30V,1.85mΩ,100A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
HEXFET Power MOSFET