IRFH5301TRPBF、NTMFS4935NT1G、IRFH5300TRPBF对比区别

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型号 IRFH5301TRPBF NTMFS4935NT1G IRFH5300TRPBF

描述 INFINEON  IRFH5301TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 V 新N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON  IRFH5300TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.8 V 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerVDFN-8 SOIC-8 QFN-8

额定功率 3.6 W - 3.6 W

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.00155 Ω 0.0027 Ω 0.0011 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 48 W 250 W

产品系列 IRFH5301 - -

阈值电压 1.8 V 1.63 V 1.8 V

输入电容 5114 pF - 7200 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A, 100 A - 40A

上升时间 78 ns 20 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 5114pF @15V(Vds) 4850pF @15V(Vds) 7200pF @15V(Vds)

下降时间 23 ns 6.6 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110 W 930mW (Ta), 48W (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc)

额定功率(Max) - 930 mW 3.6 W

长度 6 mm 5.1 mm 6 mm

宽度 5 mm 6.1 mm 5 mm

高度 0.85 mm 1.1 mm -

封装 PowerVDFN-8 SOIC-8 QFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -