BSZ0902NSIATMA1
INFINEON BSZ0902NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装(无铅)
超低 Rdson
欧时:
Infineon MOSFET BSZ0902NSI
得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
立创商城:
N沟道 30V 40A 21A
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ0902NSIATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON / N-Channel 30 V 21A Ta, 40A Tc 2.5W Ta, 48W Tc Surface Mount PG-TSDSON-8-FL