MMBF170-7

功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Power MOSFET 500 mA, 60 V N−Channel SOT−23 Features High density cell design for low RDSON .Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability. 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 高密度电池设计的低RDS（ON） 电压控制小信号开关 坚固，可靠。 高饱和电流能力