锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
MMBF170-7

MMBF170-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Power MOSFET 500 mA, 60 V N−Channel SOT−23 Features High density cell design for low RDSON .Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability. 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 高密度电池设计的低RDS（ON） 电压控制小信号开关 坚固，可靠。 高饱和电流能力

MMBF170-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 40pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

MMBF170-7引脚图与封装图
MMBF170-7引脚图

MMBF170-7引脚图

MMBF170-7封装图

MMBF170-7封装图

MMBF170-7封装焊盘图

MMBF170-7封装焊盘图

在线购买MMBF170-7
型号 制造商 描述 购买
MMBF170-7 Diodes 美台 功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力 搜索库存
替代型号MMBF170-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBF170-7

品牌： Diodes 美台

封装： SOT23 N-Channel 60V 500mA 5Ω

当前型号

功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力

当前型号

型号： 2N7002K-7

品牌： 美台

封装： SOT-23 N-Channel 60V 300mA

类似代替

2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

MMBF170-7和2N7002K-7的区别

型号： MMBF170-7-F

品牌： 美台

封装： TO-236-3 N-Channel 60V 500mA 5.3Ω 40pF

类似代替

MMBF170-7-F 编带

MMBF170-7和MMBF170-7-F的区别

型号： BS170FTA

品牌： 美台

封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 150mA

类似代替

BS170 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- SOT-23

MMBF170-7和BS170FTA的区别