STGWA30M65DF2

STMICROELECTRONICS  STGWA30M65DF2  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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STGWA30M65DF2

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IGBT 650V 30A TO247-3

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贸泽:
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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# STMICROELECTRONICS  STGWA30M65DF2  IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3

儒卓力:
**IGBT 650V 30A 1,55V TO247-3 **