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STGWT30H65FB

HB 系列 650 V 30 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-3P


得捷:
IGBT 650V 30A 260W TO3PL


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-3P Tube


富昌:
HB 系列 650 V 30 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-3P


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Win Source:
IGBT 650V 30A 260W TO3PL / IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 260 W Through Hole TO-3P


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STGWT30H65FB ST Microelectronics 意法半导体
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