2N6059、JAN2N3441、JANTX2N6058对比区别

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型号 2N6059 JAN2N3441 JANTX2N6058

描述 NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFENPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

引脚数 2 3 3

封装 TO-3 TO-66 TO-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

极性 NPN NPN -

耗散功率 150 W 3 W 150 W

直流电流增益(hFE) 750 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃

击穿电压(集电极-发射极) - 140 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @500mA, 4V 1000 @6A, 3V

额定功率(Max) - 3 W 150 W

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3000 mW 150000 mW

集电极最大允许电流 - 3A -

封装 TO-3 TO-66 TO-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

ECCN代码 - - EAR99