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JANTX2N1613

JANTX2N1613

数据手册.pdf

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTX2N1613中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JANTX2N1613引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号JANTX2N1613
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N1613

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-205AD NPN 800mW

当前型号

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTXV2N1613L

品牌： 美高森美

封装： TO-5 NPN

完全替代

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

JANTX2N1613和JANTXV2N1613L的区别

型号： JAN2N1613

品牌： 美高森美

封装： TO-39 NPN

完全替代

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

JANTX2N1613和JAN2N1613的区别

型号： JANS2N3500

品牌： 美高森美

封装： TO-39 NPN

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