JANS2N3500、JANTX2N1613、2N3500对比区别

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型号 JANS2N3500 JANTX2N1613 2N3500

描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR抗辐射 RADIATION HARDENED

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-205 TO-39-3

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 0.8 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 30 V 150 V

集电极最大允许电流 0.3A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1 W 800 mW 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 800 mW 1000 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 120 @150mA, 10V

封装 TO-205 TO-205 TO-39-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99