JAN2N1613、JANTX2N1613、JANS2N3500对比区别

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型号 JAN2N1613 JANTX2N1613 JANS2N3500

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-205 TO-205

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.8 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 150 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.3A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 1000 mW

封装 TO-205 TO-205 TO-205

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead