JANTXV2N3635
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3635中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 140 V
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JANTXV2N3635引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3635
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3635 | Microsemi 美高森美 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3635
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3635 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 当前型号 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | 当前型号 |
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