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JAN2N3635、JANTXV2N3635、2N3635对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3635 JANTXV2N3635 2N3635

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PINPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Semicoa Semiconductor Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

安装方式 - Through Hole -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 140 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -