锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2N5679、JANTXV2N3635对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5679 JANTXV2N3635

描述 Small Signal Transistors TO-39 CasePNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-39-3 TO-39

耗散功率 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 140 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 100 @50mA, 10V

额定功率(Max) - 1 W

增益频宽积 30 MHz -

封装 TO-39-3 TO-39

长度 9.4 mm -

宽度 9.4 mm -

高度 6.6 mm -

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -