JANTXV2N3635、NTE323、JAN2N3635对比区别

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型号 JANTXV2N3635 NTE323 JAN2N3635

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORNTE ELECTRONICS  NTE323  双极性晶体管Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 -

针脚数 - 3 -

极性 - P-Channel, Dual P-Channel -

耗散功率 1 W 10 W -

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 180 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

直流电流增益(hFE) - 140 -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-39 TO-39 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 85412100959 -