IRF820AL
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF820AL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 340pF @25VVds
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF820AL引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF820AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF820AL 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262AA | 当前型号 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 | 当前型号 |
| 型号： IRF820ALPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： I²Pak | 完全替代 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262 | IRF820AL和IRF820ALPBF的区别 |
| 型号： SPP02N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 650V 1.8A 200pF | 功能相似 | INFINEON SPP02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V | IRF820AL和SPP02N60C3的区别 |
| 型号： 2SJ313 品牌： 东芝 封装： TO-220NIS P-CH 180V 1A | 功能相似 | TO-220NIS P-CH 180V 1A | IRF820AL和2SJ313的区别 |