2SJ313、IRF820AL、STP4NC60对比区别

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型号 2SJ313 IRF820AL STP4NC60

描述 TO-220NIS P-CH 180V 1AMOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262N沟道600V - 1.8ohm - 4.2A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220 TO-262-3 TO-220

漏源极电阻 - - 2.20 Ω

耗散功率 - 50W (Tc) 100 W

上升时间 - - 14 ns

输入电容(Ciss) - 340pF @25V(Vds) 475pF @25V(Vds)

下降时间 - - 19 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - 50W (Tc) 100000 mW

极性 P-CH - -

漏源极电压(Vds) 180 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 1A - -

封装 TO-220 TO-262-3 TO-220

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -