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IRF820AL、IRF820ALPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF820AL IRF820ALPBF

描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3

耗散功率 50W (Tc) 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 50 W

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.65 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free