IRF820AL、SPP02N60C3、IRF820ALPBF对比区别

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型号 IRF820AL SPP02N60C3 IRF820ALPBF

描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262INFINEON  SPP02N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 VMOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 50W (Tc) 25 W 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 500 V

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 50W (Tc) - 50W (Tc)

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 1.80 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 2.7 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 200 pF -

栅电荷 - 12.5 nC -

连续漏极电流(Ids) - 1.80 A -

上升时间 - 3 ns -

额定功率(Max) - 25 W 50 W

下降时间 - 12 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3

长度 - 10 mm 10.67 mm

宽度 - 4.4 mm 4.83 mm

高度 - 15.65 mm 9.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -